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Tomaux Utente adulto
Registrato: 12/08/04 17:56 Messaggi: 2494 Residenza: bergamo
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Inviato: Sab Gen 15, 2005 12:27 pm Oggetto: |
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17) Descrivere la struttura di una memoria DRAM e discutere i problemi legati a scrittura e lettura di dati nelle celle di memoria. (1 volta)
La cella elementare DRAM ad un transistore è costituita essenzialmente da tre parti: un dispositivo MOS, una capacità di memoria C(M) e una capacità C(L). Per il corretto funzionamento della RAM dinamica è fondamentale l'operazione di re-fresh (ogni 2-4 ms). Durante questa operazione, il contenuto della cella infatti viene letto ed il dato riscritto, ripristinando la tensione sul condensatore al valore appropriato. Ciò garantisce che cella non perda l'informazione che contiene. l'operazione di refresh viene effettuata su una riga per volta e durante questa operazione non possono essere effettuate operazioni di lettura o scrittura.
[Figura del circuito della cella di memoria dinamica ad un transistore]
L'operazione di scrittura in questo tipo di celle di memoria avviene ponendo sul data input il dato da scrivere ed abilitando la linea di digit attraverso il decodificatore a colonna. Il dato viene memorizzato sul condensatore della cella selezionata a contemporaneamente tutte le celle della riga vengono rinfrescate.L’infomazione binaria che è quindi contenuta nella cella viene memorizzata nella capacità CM. Al momento della lettura viene selezionata una word line che chiude il circuito, la capacità CM carica (valore logico alto) modifica la tensione della capacità CL. Si può quindi leggere tramite un sense amplifier questa variazione di tensione e interpretare quindi il livello logico alto. Similarmente se CM è scarica non si avrà una variazione di tensione su CL, verrà perciò letto il valore ZERO. _________________ A volte mi fermo e penso:
"THE EARTHQUAKE!!! OH MY FUCKING GOD, THE EARTHQUAKE!!!"
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Tomaux Utente adulto
Registrato: 12/08/04 17:56 Messaggi: 2494 Residenza: bergamo
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Inviato: Sab Gen 15, 2005 12:28 pm Oggetto: |
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18 si descrivano le tecniche per la generazione di segnali sinusoidali in sistemi elettronici per telecomunicazioni (1 volta).
I segnali sinusoidali sono generati tramite un anello di reazione positiva con una rete selettiva in frequenza (vedere schema blocchi su slide telecomunicazioni (oscillatore sinusoidale)). Abbiamo dallo schema a blocchi Xf = B*Xo, Xo = A(Xs+Xf), Xo = (A/1-AB)*Xs ---> Af(jw)*Xs
- Il guadagno d anello è =1 a una sola frequenza w0 determinata dalla rete selettiva - In assenza del segnale di ingresso, viene generato in uscita un segnale sinusoidale alla frequenza w0
- Il d' anello è il seguente: G(jw)=A(jw)*B(jw) Se ad una frequenza w0 il guadagno d' anello G(jw)=1, il guadagno d'anello chiuso Af(jw)--> infinito. Alla frequenza w0 il circuito ha un uscita finita per un segnale di ingresso =0. Quindi il circuito per definizione è un oscillatore. Per produrre e sostenere un segnale Xo con ingresso nullo, il segnale Xf = B* Xo deve essere sufficientemente grande da riprodurre Xo una volta moltiplicato per A.
--CRITERIO DI BARKHAUSEN--
La condizione per avere oscillazioni sinusoidali alla frequenza w0 è: G(jw0)=A(jw0) * B(jw0) = 1 Ciò significa che alla pulsazione w0 il guadagno d' anello deve avere modulo = 1 e sfasamento = 0. In altri termini, la parte reale del guadagno d' anello deve essere = 1, e la parte immaginaria = 0. Questo criterio deve essere soddisfatto a una unica frequenza, altrimenti la forma d' onda risultante non è sinusoidale. _________________ A volte mi fermo e penso:
"THE EARTHQUAKE!!! OH MY FUCKING GOD, THE EARTHQUAKE!!!"
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Tomaux Utente adulto
Registrato: 12/08/04 17:56 Messaggi: 2494 Residenza: bergamo
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Inviato: Sab Gen 15, 2005 12:29 pm Oggetto: |
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uff... ho finito! _________________ A volte mi fermo e penso:
"THE EARTHQUAKE!!! OH MY FUCKING GOD, THE EARTHQUAKE!!!"
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Ghep Utente adolescente
Registrato: 14/01/05 17:06 Messaggi: 475 Residenza: Bergamo
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Inviato: Sab Gen 15, 2005 12:41 pm Oggetto: MMMMIITICOOOOO |
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Evviva il Tommy esempio di virtù.......
Grazie Tommy, hai monopolizzato il post ma va bene cosi!!! |
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Endless Utente adulto
Registrato: 23/12/03 18:06 Messaggi: 2905 Residenza: Bergamo (provincia)
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Inviato: Sab Gen 15, 2005 1:21 pm Oggetto: |
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tomaux ha scritto: | uff... ho finito! |
Grazie tommy, per i tuoi contribuiti e grazie anche francesco aver diminuito l'entropia della questione!
Grazie anche a quanti hanno collaborato a questa idea. _________________
Training autogeno: in caso di stress, eseguite il movimento in figura e ripetete:
"Amo il mio lavoro! Amo il mio lavoro! Amo il mio lavoro!" |
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vinz Amministratore
Registrato: 12/12/03 12:56 Messaggi: 6648 Residenza: San Pellegrino Terme (Bergamo)
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Inviato: Sab Gen 15, 2005 1:24 pm Oggetto: |
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Ho letto con attenzione le domande: alcune, secondo il mio parere, sono un po' troppo generali.
Per esempio quella che parla dei circuiti sequenziali in tecnologia CMOS: nella risposta si parla solo dei circuiti sequenziali (flip flop, latch), ma non si parla dei vantaggi nel costruirli in logica CMOS.
Questa è la mia impressione... _________________ Let the future tell the truth and evaluate each one according to his work and accomplishments. The present is theirs; the future, for which I really worked, is mine.
Nikola Tesla |
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Flaz Utente adolescente
Registrato: 05/05/04 15:34 Messaggi: 661 Residenza: Pontirolo Nuovo
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Inviato: Sab Gen 15, 2005 1:25 pm Oggetto: |
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purtroppo vinz il materiale da cui attingere informazioni non esiste... nei pdf di re c'è di tutto di + ma non quello che serve, in internet c'è ancora meno..... _________________ Ognuno deve credere in qualcosa:
Io credo che mi berrò una birra... |
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Endless Utente adulto
Registrato: 23/12/03 18:06 Messaggi: 2905 Residenza: Bergamo (provincia)
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Inviato: Mar Feb 08, 2005 10:50 am Oggetto: RISPOSTE BEN FATTE |
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Dietro richesta dell'autore, Aemodica, ho pubblicato sul mio disco remoto le risposte che questi ha dato alle domande di degli appelli di Re. A mio modesto avviso, sembrano proprio ben fatte.
...
Grazie Alex! _________________
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