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Tomaux Utente adulto


Registrato: 12/08/04 17:56 Messaggi: 2494 Residenza: bergamo
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Inviato: Sab Gen 15, 2005 12:27 pm Oggetto: |
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17) Descrivere la struttura di una memoria DRAM e discutere i problemi legati a scrittura e lettura di dati nelle celle di memoria. (1 volta)
La cella elementare DRAM ad un transistore � costituita essenzialmente da tre parti: un dispositivo MOS, una capacit� di memoria C(M) e una capacit� C(L). Per il corretto funzionamento della RAM dinamica � fondamentale l'operazione di re-fresh (ogni 2-4 ms). Durante questa operazione, il contenuto della cella infatti viene letto ed il dato riscritto, ripristinando la tensione sul condensatore al valore appropriato. Ci� garantisce che cella non perda l'informazione che contiene. l'operazione di refresh viene effettuata su una riga per volta e durante questa operazione non possono essere effettuate operazioni di lettura o scrittura.
[Figura del circuito della cella di memoria dinamica ad un transistore]
L'operazione di scrittura in questo tipo di celle di memoria avviene ponendo sul data input il dato da scrivere ed abilitando la linea di digit attraverso il decodificatore a colonna. Il dato viene memorizzato sul condensatore della cella selezionata a contemporaneamente tutte le celle della riga vengono rinfrescate.L�infomazione binaria che � quindi contenuta nella cella viene memorizzata nella capacit� CM. Al momento della lettura viene selezionata una word line che chiude il circuito, la capacit� CM carica (valore logico alto) modifica la tensione della capacit� CL. Si pu� quindi leggere tramite un sense amplifier questa variazione di tensione e interpretare quindi il livello logico alto. Similarmente se CM � scarica non si avr� una variazione di tensione su CL, verr� perci� letto il valore ZERO. _________________ A volte mi fermo e penso:
"THE EARTHQUAKE!!! OH MY FUCKING GOD, THE EARTHQUAKE!!!"
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Tomaux Utente adulto


Registrato: 12/08/04 17:56 Messaggi: 2494 Residenza: bergamo
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Inviato: Sab Gen 15, 2005 12:28 pm Oggetto: |
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18 si descrivano le tecniche per la generazione di segnali sinusoidali in sistemi elettronici per telecomunicazioni (1 volta).
I segnali sinusoidali sono generati tramite un anello di reazione positiva con una rete selettiva in frequenza (vedere schema blocchi su slide telecomunicazioni (oscillatore sinusoidale)). Abbiamo dallo schema a blocchi Xf = B*Xo, Xo = A(Xs+Xf), Xo = (A/1-AB)*Xs ---> Af(jw)*Xs
- Il guadagno d anello � =1 a una sola frequenza w0 determinata dalla rete selettiva - In assenza del segnale di ingresso, viene generato in uscita un segnale sinusoidale alla frequenza w0
- Il d' anello � il seguente: G(jw)=A(jw)*B(jw) Se ad una frequenza w0 il guadagno d' anello G(jw)=1, il guadagno d'anello chiuso Af(jw)--> infinito. Alla frequenza w0 il circuito ha un uscita finita per un segnale di ingresso =0. Quindi il circuito per definizione � un oscillatore. Per produrre e sostenere un segnale Xo con ingresso nullo, il segnale Xf = B* Xo deve essere sufficientemente grande da riprodurre Xo una volta moltiplicato per A.
--CRITERIO DI BARKHAUSEN--
La condizione per avere oscillazioni sinusoidali alla frequenza w0 �: G(jw0)=A(jw0) * B(jw0) = 1 Ci� significa che alla pulsazione w0 il guadagno d' anello deve avere modulo = 1 e sfasamento = 0. In altri termini, la parte reale del guadagno d' anello deve essere = 1, e la parte immaginaria = 0. Questo criterio deve essere soddisfatto a una unica frequenza, altrimenti la forma d' onda risultante non � sinusoidale. _________________ A volte mi fermo e penso:
"THE EARTHQUAKE!!! OH MY FUCKING GOD, THE EARTHQUAKE!!!"
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Tomaux Utente adulto


Registrato: 12/08/04 17:56 Messaggi: 2494 Residenza: bergamo
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Inviato: Sab Gen 15, 2005 12:29 pm Oggetto: |
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uff... ho finito! _________________ A volte mi fermo e penso:
"THE EARTHQUAKE!!! OH MY FUCKING GOD, THE EARTHQUAKE!!!"
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Ghep Utente adolescente


Registrato: 14/01/05 17:06 Messaggi: 475 Residenza: Bergamo
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Inviato: Sab Gen 15, 2005 12:41 pm Oggetto: MMMMIITICOOOOO |
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Evviva il Tommy esempio di virt�.......
Grazie Tommy, hai monopolizzato il post ma va bene cosi!!!  |
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Endless Utente adulto


Registrato: 23/12/03 18:06 Messaggi: 2905 Residenza: Bergamo (provincia)
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Inviato: Sab Gen 15, 2005 1:21 pm Oggetto: |
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tomaux ha scritto: | uff... ho finito! |
Grazie tommy, per i tuoi contribuiti e grazie anche francesco aver diminuito l'entropia della questione!
Grazie anche a quanti hanno collaborato a questa idea.  _________________
Training autogeno: in caso di stress, eseguite il movimento in figura e ripetete:
"Amo il mio lavoro! Amo il mio lavoro! Amo il mio lavoro!" |
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vinz Amministratore


Registrato: 12/12/03 12:56 Messaggi: 6648 Residenza: San Pellegrino Terme (Bergamo)
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Inviato: Sab Gen 15, 2005 1:24 pm Oggetto: |
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Ho letto con attenzione le domande: alcune, secondo il mio parere, sono un po' troppo generali.
Per esempio quella che parla dei circuiti sequenziali in tecnologia CMOS: nella risposta si parla solo dei circuiti sequenziali (flip flop, latch), ma non si parla dei vantaggi nel costruirli in logica CMOS.
Questa � la mia impressione...  _________________ Let the future tell the truth and evaluate each one according to his work and accomplishments. The present is theirs; the future, for which I really worked, is mine.
Nikola Tesla |
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Flaz Utente adolescente


Registrato: 05/05/04 15:34 Messaggi: 661 Residenza: Pontirolo Nuovo
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Inviato: Sab Gen 15, 2005 1:25 pm Oggetto: |
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purtroppo vinz il materiale da cui attingere informazioni non esiste... nei pdf di re c'� di tutto di + ma non quello che serve, in internet c'� ancora meno..... _________________ Ognuno deve credere in qualcosa:
Io credo che mi berr� una birra... |
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Endless Utente adulto


Registrato: 23/12/03 18:06 Messaggi: 2905 Residenza: Bergamo (provincia)
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Inviato: Mar Feb 08, 2005 10:50 am Oggetto: RISPOSTE BEN FATTE |
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Dietro richesta dell'autore, Aemodica, ho pubblicato sul mio disco remoto le risposte che questi ha dato alle domande di degli appelli di Re. A mio modesto avviso, sembrano proprio ben fatte.
...
Grazie Alex! _________________
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