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Tomaux · Inviato: Ven Dic 17, 2004 9:14 pm Oggetto: Esame di Elettronica Digitale

ECCO TUTTE LE DOMANDE CHE RE HA FATTO NEI SUOI SCRITTI. ALLA FINE DI OGNI DOMANDA HO INDICATO QUANTE VOLTE L'HA FATTA.

1) Si discutano i parametri dei dispositivi MOSFET che determinano le prestazioni statiche e
dinamiche di un inverter CMOS. (2 VOLTE)

2) Si descriva la realizzazione di una porta logica a due ingressi in tecnologia CMOS. Si
discuta come vengono modificate le prestazioni statiche e dinamiche nel caso in cui al posto
della rete PMOS venga utilizzato un unico PMOS con gate a massa (logica pseudo NMOS). (2 VOLTE)

3) Si descriva la realizzazione di un flip-flop D in logica dinamica CMOS. Si discutano
vantaggi e svantaggi legati all’utilizzo di porte di trasmissione a NMOS oppure a MOS
complementari. (2 VOLTE)

4) Si descriva la struttura di una memoria ROM. Si discutano i parametri che determinano il
tempo di accesso alla ROM. (2 VOLTE)

5) Si descrivano le tecniche con cui in un sistema di telecomunicazioni un segnale in banda
audio può essere utilizzato per modulare un segnale portante. Si dia una descrizione di
circuiti elettronici utilizzati per la modulazione. (4 VOLTE)

6) Si discutano le tecniche e i circuiti elettronici utilizzati in un sistema di ricezione di un
segnale modulato in ampiezza e poi se modulato in frequenza (TRE VOLTE)

7) DESCRIVERE IL FUNZIONAMENTO DELL’INVERTER cmos E DISCUTERE LE DIFFERENZE FRA INVERTER IDEALE E REALE (2 VOLTE)

8) si descriva il funzionamento di un circuito sequenziale in tecnologia CMOS (2 VOLTE)

9) Si descriva la realizzazione di una porta logica in tecnologia CMOS e si discutano i criteri di dimensionamento dei dispositivi all’interno della porta. Si disutano inoltre i motivi per cui il NAND può essere considerato la porta logica fondamentale nei sistemi digitali CMOS (1 VOLTA)

10) si descrivano i blocchi circuitali in un sistema di trasmissione e di ricezione in modulazione di ampiezza. Si discuta la funzione dei diversi blocchi ed eventuali aspetti critici (1 VOLTA)

11) descrivere la struttura di na memoria DRAM e discutere i problemi legati a scrittura e lettura di dati nelle celle di memoria. (1 VOLTA)

12) si descrivano le tecniche per la generazione di segnali sinusoidali in sistemi elettronici per tlecomunicazioni. (1 VOLTA)

13) Si descriva la realizzazione di una porta NAND a 3 ingressi in tecnologia CMOS. Si discuta
il dimensionamento dei dispositivi nel caso in cui i valori minimi di lunghezza L e larghezza
W di gate dei dispositivi nella tecnologia disponibile siano L = 0.25 µm, W = 0.75 µm. (DUE VOLTE)

14) Si discuta in che modo la geometria (lunghezza e larghezza di gate) dei dispositivi MOSFET
influisce sulle prestazioni statiche e dinamiche di un inverter CMOS. (1 VOLTA)

15) Si descriva la realizzazione di una porta NAND in tecnologia CMOS in logica statica e
dinamica. Si discutano vantaggi e vantaggi delle due soluzioni. (1 VOLTA)

TEMI D'ESAME ESAMINATI = 5
DOMANDE TOTALI = 30

che dio ce la mandi buona...
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A volte mi fermo e penso:
"THE EARTHQUAKE!!! OH MY FUCKING GOD, THE EARTHQUAKE!!!"

vinz · Inviato: Sab Dic 18, 2004 11:19 am Oggetto:

Grazie Tommy, buon lavoro! Very Happy

Come dicevo a Mazzo, potremmo dividercele due a testa e rispondere, così facciamo 1/15 del lavoro.
So che Mazzo ha già iniziato a farne una...
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Let the future tell the truth and evaluate each one according to his work and accomplishments. The present is theirs; the future, for which I really worked, is mine.
Nikola Tesla

Ste · Inviato: Sab Dic 18, 2004 1:46 pm Oggetto:

Bravo Tommy, davvero un buon lavoro!

Magari non appena abbiamo finito la preparazione di sistemi informativi2 e abbiamo smaltito i dolci natalizi (non vedo l'ora.... Embarassed

) ci organizziamo bene e suddividiamo il lavoro!

Se si organizza io ci stò...!
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Nella botte piccola c'è il vino buono... Razz

Andrea · Moderatore Registrato: 23/12/03 13:10 Messaggi: 5200

Giorgio · Inviato: Sab Dic 18, 2004 5:47 pm Oggetto:

Estevan · Inviato: Sab Dic 18, 2004 9:52 pm Oggetto:

Mi aggrego anch'io

ciao cive

Tomaux · Inviato: Dom Dic 19, 2004 2:04 pm Oggetto:

era la proposta che volrvo fare subito dopo la suddivisione dei lavori, aspettiamo però di aver superato il parabosco! però è meglio segnare chi fa quale domanda per evitare di fare tutti la stessa!

comunque abbiamo tempo!
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Luke · Inviato: Lun Dic 20, 2004 4:06 pm Oggetto:

Mi aggrego anche io molto volentieri!
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"Al mondo ci sono 10 persone: quelle che conoscono il codice binario e quelle che non lo conoscono..."

clarence · Inviato: Lun Dic 20, 2004 4:47 pm Oggetto:

Io ho già risposto alla domanda 4 e sto per fare la risposta 10, il flaz fa la 13 e un'altra che tommy non hai inserito. Spiace dirvelo ma le domande sono 18, presto inserirò anche le tre rimanenti.
Notare io e flaz le domande le abbiamo scelto a caso, a breve saprete anche quelle che sono toccate a gianby!
ciao maaz
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unibg...i miss you!!!

vinz · Inviato: Lun Dic 20, 2004 4:51 pm Oggetto:

Ste · Inviato: Lun Dic 20, 2004 7:50 pm Oggetto:

Protesto contro il mio disegnino... Evil or Very Mad

(per la cronaca Andre, oggi sono stata di nuovo in pasticceria... Rolling Eyes

e non ho preso nemmeno un kg! Wink

)
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Nella botte piccola c'è il vino buono... Razz

Tomaux · Inviato: Lun Dic 20, 2004 8:41 pm Oggetto:

scusa non è che me ne posti una di queste domande? dove le avete trovate? ero quasi sicuro di essere stato attentissimo!
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"THE EARTHQUAKE!!! OH MY FUCKING GOD, THE EARTHQUAKE!!!"

Nash · Inviato: Gio Dic 23, 2004 1:42 pm Oggetto:

Questo è l'elenco completo di tutte le domande di tutti i temi d'esame:(spero possa esservi utile)

1) Descrivere il funzionamento dell’inverter CMOS e discutere le differenze fra inverter ideale
e reale. (2 volte)

2) Si descriva la realizzazione di una porta NAND a 3 ingressi in tecnologia CMOS. Si discuta
il dimensionamento dei dispositivi nel caso in cui i valori minimi di lunghezza L e larghezza
W di gate dei dispositivi nella tecnologia disponibile siano L = 0.25 µm, W = 0.75 µm. (3 volte)

3) Si descriva la realizzazione di un flip-flop D in logica dinamica CMOS. Si discutano
vantaggi e svantaggi legati all’utilizzo di porte di trasmissione a NMOS oppure a MOS
complementari. (4 volte)

4) Si discuta l’impiego di un amplificatore a MOS come sense amplifier in una memoria RAM.
Si descriva il funzionamento dell’amplificatore tramite un’analisi della risposta a piccoli
segnali.(1 volta)

5) Si descrivano le tecniche con cui in un sistema di telecomunicazioni un segnale in banda
audio può essere utilizzato per modulare un segnale portante. Si dia una descrizione di
circuiti elettronici utilizzati per la modulazione. (5 volte)

6) Si discutano le tecniche e i circuiti elettronici utilizzati in un sistema di ricezione di un
segnale modulato in frequenza.(2volte)

7) Si discutano i parametri dei dispositivi MOSFET che determinano le prestazioni statiche e
dinamiche di un inverter CMOS. (3 volte)

8 ) Si descriva la struttura di una memoria ROM. Si discutano i parametri che determinano il
tempo di accesso alla ROM. (3 volte)

9) Si discutano le tecniche e i circuiti elettronici utilizzati in un sistema di ricezione di un
segnale modulato in ampiezza. (3 volte)

10) Si descriva la realizzazione di una porta logica a due ingressi in tecnologia CMOS. Si
discuta come vengono modificate le prestazioni statiche e dinamiche nel caso in cui al posto
della rete PMOS venga utilizzato un unico PMOS con gate a massa (logica pseudo NMOS). (1 volta)

11) Si discuta in che modo la geometria (lunghezza e larghezza di gate) dei dispositivi MOSFET
influisce sulle prestazioni statiche e dinamiche di un inverter CMOS. (1 volta)

12) Si descriva la realizzazione di una porta NAND in tecnologia CMOS in logica statica e
dinamica. Si discutano vantaggi e vantaggi delle due soluzioni. (1 volta)

13) Si descriva il funzionamento di un circuito sequenziale in tecnologia CMOS. (2 volte)

14) Si descriva il funzionamento di un amplificatore differenziale a MOS, tramite un’analisi
della risposta a piccoli segnali. Si discuta come questo amplificatore può essere utilizzato
come sense amplifier in una memoria RAM. (1 volta)

15) Si descriva la realizzazione di una porta logica in tecnologia CMOS e si discutano i criteri di dimensionamento dei dispositivi all’interno della porta. Si discutano inoltre i motivi per cui il NAND può essere considerato la porta logica fondamentale nei sistemi digitali CMOS. (1 volta)

16) Si descrivano i blocchi circuitali in un sistema di trasmissione e di ricezione in modulazione di ampiezza. Si discuta la funzione dei diversi blocchi ed eventuali aspetti critici. (1 volta)

17) Descrivere la struttura di una memoria DRAM e discutere i problemi legati a scrittura e lettura di dati nelle celle di memoria. (1 volta)

18 ) Si descrivano le tecniche per la generazione di segnali sinusoidali in sistemi elettronici per telecomunicazioni. (1 volta)

in bocca al lupo a tutti quelli che faranno l'esame!

p.s qualcuno sa se il voto della relazione di laboratorio decade in caso di insufficienza nel primo appello?

Francesco · Inviato: Gio Dic 23, 2004 5:11 pm Oggetto:

non penso proprio, guardando i voti dell'anno scorso si vede che ai bocciati al primo appello è tenuta valida la relazione per la seconda prova della sessione invernale. Probabilmente te la tiene buona anche per la sessione estiva, ma bisognerebbe chiedere.
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God is real........... unless declared integer or long

Tomaux · Inviato: Gio Dic 23, 2004 6:39 pm Oggetto:

ho chiesto io:
la relazione va consegnata una sola volte e vale vita natural durante, e non c'è la possibilità di migliorarla!
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