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Esame di Elettronica Digitale
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Endless
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MessaggioInviato: Lun Gen 10, 2005 3:34 pm    Oggetto: Rispondi citando

Risposta n°10 (solo prima parte,quella sulla NAND)
Utilizzando un circuito dell'inverter è possibile realizzare le porte logiche elementari NAND e NOR. Una porta NAND a 2 ingressi è formata da due dispositvi PMOS in parallelo e due NMOS in serie; gli ingressi A e B sono applicati a ciascuna coppia di dispositivi di polarità diverse. E' inoltre possibile realizzare porte NAND a più ingressi aumentando in numero di dispositivi MOSFET.


Risposta n°15
Utilizzando un circuito dell'inverter è possibile realizzare le porte logiche elementari NAND e NOR. Una porta NAND a 2 ingressi è formata da due dispositvi PMOS in parallelo e due NMOS in serie; gli ingressi A e B sono applicati a ciascuna coppia di dispositivi di polarità diverse. E' possibile realizzare porte NAND a più ingressi aumentando in numero di dispositivi MOSFET.
Per studiare le porte logiche è possibile ricondursi ad un invertitore equivalente con N dispositivi in serie o in parallelo; inoltre il dimensionamento viene fatto mettendosi nella condizione di prevedere il peggior scenario possibile fra quelli possibili.
Nel caso della porta NAND a N ingressi il caso peggiore in cui ci si può trovare sia ha quando solo uno dei dispositivi PMOS conduce; essendo K(N,eq) = Kn/N e K(P,eq) = Kp, si ottiene:
(W/L)P = 2.5 (W/L * 1/N)N
La porta NAND viene considerata fondamentale perchè rispetto alla NOR occupa un'area minore all'aumentare degli ingressi.


note: nell'espressione in rosso ciò che è fra parentesi è al pedice nella realtà, non è da intere come K funzione di qualcosa.
nell'espressione in blu la P del primo mebro e la N del secondo solo pedici delle parentesi.


Risposta n°17
La cella elementare DRAM ad un transistore è cosituita essenzialmente da due parti: un dispositivo MOS e da una capacità di memoria C(M).
Per il corretto funzionamento della RAM dinamica è fondamentare l'operazione di re-fresh (ogni 2-4 ms). Durante questa operazione, il contenuto della cella infatti viene letto ed il dato riscritto, ripristinado la tensine sul condensatore al valore appropriato. Ciò garantisce che cella non perda l'informazione che contiene.
(Figura del circuito della cella di memoria dinamica ad un transistore)
L'operazione di scrittura in questo tipo di celle di memoria avviene ponendo sul data input il dato da scrivere ed abilitando la linea di digit attraveso il decodificatore a colonna. Il dato viene memorizzato sul condensatore della cella selezionata a contemporaneamente tutte le celle della riga vengono rifrescate.


ATTENZIONE: Non sono parente del monarca indi per cui potrei aver scritto delle volgari castronerie! Rolling Eyes Wink
No dai, non credo, anche solo perchè c'è il contributo di altra gente, cmq sia controllatele se vi capita, che almeno siete sicuri!
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Giorgio
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MessaggioInviato: Mar Gen 11, 2005 2:40 pm    Oggetto: Rispondi citando

La domanda 2 è stata fatta? Altrim la faccio oggi...risp il prima possibile. Grazie
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vinz
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MessaggioInviato: Mar Gen 11, 2005 2:50 pm    Oggetto: Rispondi citando

No, falla.

Questa è la risposta del Civera alla domanda 7.
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Giorgio
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MessaggioInviato: Mar Gen 11, 2005 4:47 pm    Oggetto: Rispondi citando

clarence ha scritto:
Io ho già risposto alla domanda 4 e sto per fare la risposta 10, il flaz fa la 13 e un'altra che tommy non hai inserito. Spiace dirvelo ma le domande sono 18, presto inserirò anche le tre rimanenti.
Notare io e flaz le domande le abbiamo scelto a caso, a breve saprete anche quelle che sono toccate a gianby!
ciao maaz
La 13 è uguale alla 2 delle domande numerate da Nash. Perciò dovrebbe averla fatta Flaz...boh. Per sicurezza ne faccio un'altra.
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Giorgio
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MessaggioInviato: Mar Gen 11, 2005 5:02 pm    Oggetto: Rispondi citando

Mi son risposto da solo...
Comunque intanto che attendo una risp dal Flaz sulla domanda 2, rispondo alla 9. Ci provo almeno... Wink
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Flaz
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MessaggioInviato: Mar Gen 11, 2005 6:35 pm    Oggetto: Rispondi citando

la 13 ce l'ha il taz, domani la posto!! ciao a tutti!!
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clarence
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MessaggioInviato: Mar Gen 11, 2005 9:50 pm    Oggetto: Rispondi citando

Risposta alla domanda 8:
Le memorie a sola lettura (ROM) sono dei circuiti la cui struttura è formata da un decodificatore dell'indirizzo di linea e una matrice per la codifica dei dati da presentare in uscita. La ROM prevede delle uscite differenti dal codificatore per ogni possibile combinazione degli ingressi nella matrice. Per la realizzazione della struttura interna della matrice di decodifica non vengono utilizzate porte elementari CMOS in quanto occuperebbe un'area troppo ampia; bensì vi è l'impiego di reti NMOS o di reti Pseudo-NMOS le quali migliorano i tempi di propagazione per le migliori caratteristiche del PMOS che agisce da carico attivo. La matrice di codifica delle ROM può essere realizzata con porte NOR e il decodificatore presenterà tutte le uscite basse tranne quella corrispondente alla parola di indirizzo che viene portata alta. La codifica desiderata sulla colonna di uscita (bit line), per ogni riga di ingresso (word line) abilitata, può essere implementata in maniera diretta nella matrice inserendo i MOS alle intersezioni tra righe e colonne. Se nell'intersezione vi è un MOS pilotato dalla word line, questo condurrà quando la word line è alta e porterà la bit line a livello basso altrimenti il livello alto della bit line non verrà alterato. Viceversa nella matrice realizzata con porte NAND il decodificatore opera in una logica negata e funziona esattamente nel modo opposto del caso precedente. Le ROM a porte NAND occupano meno spazio a pari capacità di memoria rispetto a quelle a porte NOR, ma hanno un tempo di accesso più alto in quanto vi è una elevata serie di NMOS nelle singole NAND che riduce il valore di Kneq e della corrispondente diminuzione del valore di Kp del PMOS carico. Per migliorare il tempo di risposta della ROM devono essere minimizzati i due tempi di transizione: Trise e Tfall la cui somma da il tempo di accesso. Questo si raggiunge ponendo Kn (coefficiente di mobilità delle cariche dell’Nmos) doppio rispetto a Kp (coefficiente di mobilità delle lacune dell’Pmos), si ottine inoltre così l’uguaglianza dei tempi di propagazione e del rapporto W/L dei dispositivi.

Come ti avevo detto era abbastanza simile...la parte del tempo di risposta addirittura identica Wink
ciao a todos
ah domani arriva la seconda domanda...
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MessaggioInviato: Mer Gen 12, 2005 12:24 am    Oggetto: Rispondi citando

Miè giusto arrivata la domanda 9 del Giorgio.
Domani la posto, ora non ce la faccio proprio...

Yawn! Sono stanchissimo! Neutral
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MessaggioInviato: Mer Gen 12, 2005 11:51 am    Oggetto: Rispondi citando

Io oggi faccio le mie e appena pronta la posto... scusate per il ritardo, ma la relazione ha preso MOLTO, MOLTO tempo...
A quanto ho capito, tra quelle tralasciate c'è una buona parte di telecomunicazione. Io ho un paio di libri utili al caso, spero di rispondere il modo esauriente!
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MessaggioInviato: Mer Gen 12, 2005 2:15 pm    Oggetto: Rispondi citando

Prima ancora che vinz posti la risp alla domanda 9, anticipo dicendo che è uscita un po' lunghetta perché ci sono alcuni circuiti. Inoltre la prima parte si può sintetizzare molto, le tecniche ed i circuiti sono spiegati in modo specifico a partire dalla spiegazione del rivelatore di picco.

Entro stase preparo la risp anche per la domanda 6...
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MessaggioInviato: Mer Gen 12, 2005 3:13 pm    Oggetto: Rispondi citando

vinz ha scritto:
No, falla.

Questa è la risposta del Civera alla domanda 7.


ATTENZIONE questa è la risposta alla domanda 1 del nuovo "ordinamento"! Eh poi mi sa che c'è da tagliare qualcosina... Wink Laughing
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MessaggioInviato: Mer Gen 12, 2005 5:26 pm    Oggetto: Rispondi citando

Ho fatto la domanda 18 e l'ho mandata al vinz, così me la corregge... Wink Very Happy
La prox che faccio è la 16, però nn so se riesco a postarla oggi. Al max, per doman sicuramente verrà messa online!
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MessaggioInviato: Gio Gen 13, 2005 10:14 am    Oggetto: Rispondi citando

Risposta alla domanda numero 4 (Matteo Mazzoleni):

Domanda 4
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MessaggioInviato: Gio Gen 13, 2005 10:14 am    Oggetto: Rispondi citando

Risposta alla domanda numero 9 (Giorgio Ghisalberti):

Domanda 9
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MessaggioInviato: Gio Gen 13, 2005 10:15 am    Oggetto: Rispondi citando

Risposta alla domanda numero 18 (Luca Fornari):

Domanda 18
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