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Esame di Elettronica Digitale
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Tomaux
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MessaggioInviato: Gio Gen 13, 2005 10:52 am    Oggetto: Rispondi citando

evitiamo di prenderci per il culo, quattro pagine di risposta sono la cosa più inutile dopo dawson's creek!

per favore cercate di farne un riassunto utilizzabile!
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Giorgio
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MessaggioInviato: Gio Gen 13, 2005 11:57 am    Oggetto: Rispondi citando

tomaux ha scritto:
evitiamo di prenderci per il culo, quattro pagine di risposta sono la cosa più inutile dopo dawson's creek!

per favore cercate di farne un riassunto utilizzabile!
A me sono uscite 2 pagine, ma come ho già detto la prima parte è riassumibile molto. In alcuni casi meglio avere risp così complete così uno poi estrapola ciò che crede più appropriato. Se scrivevo meno avrei parlato di cose di cui non si capiva un H, perché non c'è un minimo di introduzione/spiegazione.
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Luke
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MessaggioInviato: Gio Gen 13, 2005 11:58 am    Oggetto: Rispondi citando

tomaux ha scritto:
evitiamo di prenderci per il culo, quattro pagine di risposta sono la cosa più inutile dopo dawson's creek!

per favore cercate di farne un riassunto utilizzabile!


Io ne ho fatte 4/5 perchè era quello che secondo me andava bene scrivere, ma guarda che cmq non è che devi scrivere tutto quello che noi abbiamo postato eh?! Ognuno è libero di tagliare tutto quello che vuole... alla fine io, ad esempio, ho messo qualcosa in più sugli oscillatori, visto che Re ne aveva parlato poco. Quella parte è sicuramente decurtabile, quindi alla fine rimane mezza pagina...
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clarence
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MessaggioInviato: Gio Gen 13, 2005 12:10 pm    Oggetto: Rispondi citando

vinz ha scritto:
Risposta alla domanda numero 4 (Matteo Mazzoleni):

Domanda 4


Se qualcuno riesce a dargli un'occhiata perchè manca la parte sugli aspetti critici Shocked
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Francesco
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MessaggioInviato: Gio Gen 13, 2005 1:10 pm    Oggetto: Rispondi citando

per me è giusto che si facciano risposte lunghe, va bene avere la pappa pronta, ma addirittura pretendere di avere risposte calibrate per entrare con un bel copia-incolla nel compito mi sembra troppo... Rolling Eyes
In questo modo invece si obbliga la gente a "rivisitare" le risposte a proprio modo, così ci autotuteliamo dall'avere N compiti identici all'esame... e ricordiamoci che queste cose non le leggiamo solo noi, visto quanti accessi in questi giorni?! Rolling Eyes Twisted Evil

A proposito se avete qualche domanda che vi avanza ne prendo una volentieri, penso di rispondere domani visto che sono ancora in ballo con le relazioni per oggi.
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clarence
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MessaggioInviato: Gio Gen 13, 2005 1:51 pm    Oggetto: Rispondi citando

Tommy...riusciresti a postare le domande a cui hai dato una risposta?
In quanto a Gianni...sono d'accordo con te, ma penso che cmq il senso del lavoro che stiamo facendo è di rispondere alle domande e non di "dire da che pagina a che pagina" possiamo trovare l'argomento trattato dalla domanda... Wink Non è una polemica è... Laughing Anche perchè penso che ci siano alcuni poveri martiri ( )che devono rispondere a delle domande meno teoriche e più pratiche e che probabilmente dovranno effettuare ben più che una sintesi dell'argomento ma bensì una vera e propria rielaborazione dei dati che hanno a loro disposizione...
cieoo maaz
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Tomaux
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MessaggioInviato: Gio Gen 13, 2005 1:56 pm    Oggetto: Rispondi citando

appena arrivo a casa posto quelle di telecomunicazioni e tutte quelle di elettronica che mancano!
hail!
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Giorgio
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MessaggioInviato: Gio Gen 13, 2005 2:00 pm    Oggetto: Rispondi citando

Francesco ha scritto:
"rivisitare" le risposte a proprio modo, così ci autotuteliamo dall'avere N compiti identici all'esame...
Esatto
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clarence
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MessaggioInviato: Gio Gen 13, 2005 2:11 pm    Oggetto: Rispondi citando

tomaux ha scritto:
hail!
Question
hasta la vista... Laughing
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Tomaux
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MessaggioInviato: Gio Gen 13, 2005 3:45 pm    Oggetto: Rispondi citando

9) Si discutano le tecniche e i circuiti elettronici utilizzati in un sistema di ricezione di un segnale modulato in ampiezza. (3 volte)



un possibile circuito utilizzato per la ricezione di un segnale modulato in AM può essere formato da: un Demodulatore, che estrae il segnale in banda base da un segnale modulato. la demodulazione può essere effettuata tramite un rilevatore di picco. ci sono due tipi di rilevatori: a diodo (difetti: non lineare a bassi livelli e caduta di tensione ai suoi capi) e con amplificatore operazionale (difetti: limitato a basse frequenze)

[disegni dei due rilevatori di picco]

un ricevitore AM consiste in stadi successivi di amplificatori accordati (eliminano segnali vicini in frequenza) seguiti da un rilevatore di picco. gli amplificatori devono essere accordati sulla stessa frequenza che deve poter essere variata. nel rilevatore sincrono il segnale AM viene moltiplicato per un segnale con frequenza uguale alla portante. con un filtro passa basso vengono elminate le componenti in frequenza vicine a 2 Wc (Wc= frequenza della portante) lasciando la componente originaria Wm.

nel ricevitore a supereterodina il segnale modulato in radiofrequenza (RF), viene amplificato da un amplificatore accordato, quindi mixato con un oscillatore locale (generatore di segnali sinosuidali variabili in frequenza) producendo un segnale ad una frequenza intermedia fissa (IF). Quindi il ricevitore è formato da amplificatori accordati a IF e un rilevatore AM. il segnale viene invine mandato allo speaker.
Cambiando la frequenza dell'oscillatore locale si accorda il ricevitore, quindi diverse frequenze in ingresso vengono trasformate nella frequenza IF.
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Tomaux
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MessaggioInviato: Gio Gen 13, 2005 5:08 pm    Oggetto: Rispondi citando

17) Descrivere la struttura di una memoria DRAM e discutere i problemi legati a scrittura e lettura di dati nelle celle di memoria. (1 volta)


La cella elementare DRAM ad un transistore è cosituita essenzialmente da due parti: un dispositivo MOS e da una capacità di memoria C(M).
Per il corretto funzionamento della RAM dinamica è fondamentare l'operazione di re-fresh (ogni 2-4 ms). Durante questa operazione, il contenuto della cella infatti viene letto ed il dato riscritto, ripristinado la tensine sul condensatore al valore appropriato. Ciò garantisce che cella non perda l'informazione che contiene. l'operazione di refresh viene effettuata su una riga per volta e durante questa operazione non possono essere effettuate operazioni di lettura o scrittura.
(Figura del circuito della cella di memoria dinamica ad un transistore)
L'operazione di scrittura in questo tipo di celle di memoria avviene ponendo sul data input il dato da scrivere ed abilitando la linea di digit attraveso il decodificatore a colonna. Il dato viene memorizzato sul condensatore della cella selezionata a contemporaneamente tutte le celle della riga vengono rifrescate.
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MessaggioInviato: Gio Gen 13, 2005 5:15 pm    Oggetto: Rispondi citando

3) Si descriva la realizzazione di un flip-flop D in logica dinamica CMOS. Si discutano vantaggi e svantaggi legati all’utilizzo di porte di trasmissione a NMOS oppure a MOS complementari. (2 VOLTE)

[immagine di un circuito di flip flop D]

i vantaggi della logica CMOS rispetto alla logica pseudo nMOS sono:

1) il livello logico alto coincide con vdd invece che con vdd-vt, dato che non ci sono capacità da caricare che abbassano la tensione.

2) le capacità si bilanciano, quindi non c'è capacità tra gate e source e perciò l'uscita non risente della fase del segnale in ingresso.

3) il tempo di propagazione del segnale è simmetrico.

l'unico svantaggio viene utilizzata una maggiore area per la realizzazione del flip flop in logica CMOS
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MessaggioInviato: Gio Gen 13, 2005 5:34 pm    Oggetto: Rispondi citando

7) Si discutano i parametri dei dispositivi MOSFET che determinano le prestazioni statiche e
dinamiche di un inverter CMOS. (3 volte)

proprietà statiche:
la potenza statica dissipata, visto che in un inverter che non deve cambira stato la correttente non passa, è zero.
i margini di rumore sono:
NMH (margine di rumore del segnale affermato)= Voh-Vih (min)
NML (margine di rumore del segnale affermato)= Vil(max)-Vil

[figura di riferimento è la 3.2 dei riassunti di traversi su ilias, lì sono anche spiuegati Voh, Vil ecc..]

proprietà dinamiche:
i parametri che influenzano le proprietà dinamiche sono:
Trise e Tfall, ovvero i tempi di salita e discesa del segnale in ingresso.
Thl e Tlh, ovvero i tempi di commutazione del segnale in uscita.
Tplh e Tphl, ovvero i tempi della propagazione della variazione del segnale all'interno dell'inverter.
Tp è l'indicatore del tempo di propagazione medio ed è proporzionale alla lunghezza del NMOS.

la proprietà dinamica più rilevante è la dissipazione della potenza dinamica. questa potenza si divide in due parti: una che carica la capacità dell'inverter, l'altra che viene dissipata nel passaggio da 1 a 0.

[grafico della dissipazione della potenza e del passaggio della corrente nell'inverter]
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MessaggioInviato: Gio Gen 13, 2005 7:07 pm    Oggetto: Rispondi citando

15) Si descriva la realizzazione di una porta logica in tecnologia CMOS e si discutano i criteri di dimensionamento dei dispositivi all’interno della porta. Si discutano inoltre i motivi per cui il NAND può essere considerato la porta logica fondamentale nei sistemi digitali CMOS. (1 volta)


Utilizzando un circuito dell'inverter è possibile realizzare le porte logiche elementari NAND e NOR. Una porta NAND a 2 ingressi è formata da due dispositvi PMOS in parallelo e due NMOS in serie; gli ingressi A e B sono applicati a ciascuna coppia di dispositivi di polarità diverse. E' possibile realizzare porte NAND a più ingressi aumentando in numero di dispositivi MOSFET.
Per studiare le porte logiche è possibile ricondursi ad un invertitore equivalente con N dispositivi in serie o in parallelo; inoltre il dimensionamento viene fatto mettendosi nella condizione di prevedere il peggior scenario possibile fra quelli possibili.
Nel caso della porta NAND a N ingressi il caso peggiore in cui ci si può trovare sia ha quando solo uno dei dispositivi PMOS conduce; essendo K(N,eq) = Kn/N e K(P,eq) = Kp, si ottiene:
(W/L)P = 2.5 (W/L * 1/N)N
La porta NAND viene considerata fondamentale perchè rispetto alla NOR occupa un'area minore all'aumentare degli ingressi.

note: nella prima espressione ciò che è fra parentesi è al pedice nella realtà, non è da intere come K funzione di qualcosa.
nell seconda espressione la P del primo mebro e la N del secondo solo pedici delle parentesi.
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MessaggioInviato: Gio Gen 13, 2005 7:08 pm    Oggetto: Rispondi citando

8 ) Si descriva la struttura di una memoria ROM. Si discutano i parametri che determinano il tempo di accesso alla ROM. (3 volte)


Le memorie a sola lettura (ROM) sono dei circuiti la cui struttura è formata da un decodificatore dell'indirizzo di linea e una matrice per la codifica dei dati da presentare in uscita. La ROM prevede delle uscite differenti dal codificatore per ogni possibile combinazione degli ingressi nella matrice. Per la realizzazione della struttura interna della matrice di decodifica non vengono utilizzate porte elementari CMOS in quanto occuperebbe un'area troppo ampia; bensì vi è l'impiego di reti NMOS o di reti Pseudo-NMOS le quali migliorano i tempi di propagazione per le migliori caratteristiche del PMOS che agisce da carico attivo. La matrice di codifica delle ROM può essere realizzata con porte NOR e il decodificatore presenterà tutte le uscite basse tranne quella corrispondente alla parola di indirizzo che viene portata alta. La codifica desiderata sulla colonna di uscita (bit line), per ogni riga di ingresso (word line) abilitata, può essere implementata in maniera diretta nella matrice inserendo i MOS alle intersezioni tra righe e colonne. Se nell'intersezione vi è un MOS pilotato dalla word line, questo condurrà quando la word line è alta e porterà la bit line a livello basso altrimenti il livello alto della bit line non verrà alterato. Viceversa nella matrice realizzata con porte NAND il decodificatore opera in una logica negata e funziona esattamente nel modo opposto del caso precedente. Le ROM a porte NAND occupano meno spazio a pari capacità di memoria rispetto a quelle a porte NOR, ma hanno un tempo di accesso più alto in quanto vi è una elevata serie di NMOS nelle singole NAND che riduce il valore di Kneq e della corrispondente diminuzione del valore di Kp del PMOS carico. Per migliorare il tempo di risposta della ROM devono essere minimizzati i due tempi di transizione: Trise e Tfall la cui somma da il tempo di accesso. Questo si raggiunge ponendo Kn (coefficiente di mobilità delle cariche dell’Nmos) doppio rispetto a Kp (coefficiente di mobilità delle lacune dell’Pmos), si ottine inoltre così l’uguaglianza dei tempi di propagazione e del rapporto W/L dei dispositivi.
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