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Endless · Inviato: Lun Gen 10, 2005 3:34 pm Oggetto:

Risposta n�10 (solo prima parte,quella sulla NAND)
Utilizzando un circuito dell'inverter � possibile realizzare le porte logiche elementari NAND e NOR. Una porta NAND a 2 ingressi � formata da due dispositvi PMOS in parallelo e due NMOS in serie; gli ingressi A e B sono applicati a ciascuna coppia di dispositivi di polarit� diverse. E' inoltre possibile realizzare porte NAND a pi� ingressi aumentando in numero di dispositivi MOSFET.

Risposta n�15
Utilizzando un circuito dell'inverter � possibile realizzare le porte logiche elementari NAND e NOR. Una porta NAND a 2 ingressi � formata da due dispositvi PMOS in parallelo e due NMOS in serie; gli ingressi A e B sono applicati a ciascuna coppia di dispositivi di polarit� diverse. E' possibile realizzare porte NAND a pi� ingressi aumentando in numero di dispositivi MOSFET.
Per studiare le porte logiche � possibile ricondursi ad un invertitore equivalente con N dispositivi in serie o in parallelo; inoltre il dimensionamento viene fatto mettendosi nella condizione di prevedere il peggior scenario possibile fra quelli possibili.
Nel caso della porta NAND a N ingressi il caso peggiore in cui ci si pu� trovare sia ha quando solo uno dei dispositivi PMOS conduce; essendo K(N,eq) = Kn/N e K(P,eq) = Kp, si ottiene:
(W/L)P = 2.5 (W/L * 1/N)N
La porta NAND viene considerata fondamentale perch� rispetto alla NOR occupa un'area minore all'aumentare degli ingressi.

note: nell'espressione in rosso ci� che � fra parentesi � al pedice nella realt�, non � da intere come K funzione di qualcosa.
nell'espressione in blu la P del primo mebro e la N del secondo solo pedici delle parentesi.

Risposta n�17
La cella elementare DRAM ad un transistore � cosituita essenzialmente da due parti: un dispositivo MOS e da una capacit� di memoria C(M).
Per il corretto funzionamento della RAM dinamica � fondamentare l'operazione di re-fresh (ogni 2-4 ms). Durante questa operazione, il contenuto della cella infatti viene letto ed il dato riscritto, ripristinado la tensine sul condensatore al valore appropriato. Ci� garantisce che cella non perda l'informazione che contiene.
(Figura del circuito della cella di memoria dinamica ad un transistore)
L'operazione di scrittura in questo tipo di celle di memoria avviene ponendo sul data input il dato da scrivere ed abilitando la linea di digit attraveso il decodificatore a colonna. Il dato viene memorizzato sul condensatore della cella selezionata a contemporaneamente tutte le celle della riga vengono rifrescate.

ATTENZIONE: Non sono parente del monarca indi per cui potrei aver scritto delle volgari castronerie! Rolling Eyes

No dai, non credo, anche solo perch� c'� il contributo di altra gente, cmq sia controllatele se vi capita, che almeno siete sicuri!
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"Amo il mio lavoro! Amo il mio lavoro! Amo il mio lavoro!"

Giorgio · Inviato: Mar Gen 11, 2005 2:40 pm Oggetto:

La domanda 2 � stata fatta? Altrim la faccio oggi...risp il prima possibile. Grazie
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vinz · Inviato: Mar Gen 11, 2005 2:50 pm Oggetto:

No, falla.

Questa � la risposta del Civera alla domanda 7.
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Giorgio · Inviato: Mar Gen 11, 2005 4:47 pm Oggetto:

Giorgio · Inviato: Mar Gen 11, 2005 5:02 pm Oggetto:

Mi son risposto da solo...
Comunque intanto che attendo una risp dal Flaz sulla domanda 2, rispondo alla 9. Ci provo almeno... Wink

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Flaz · Inviato: Mar Gen 11, 2005 6:35 pm Oggetto:

la 13 ce l'ha il taz, domani la posto!! ciao a tutti!!
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clarence · Inviato: Mar Gen 11, 2005 9:50 pm Oggetto:

Risposta alla domanda 8:
Le memorie a sola lettura (ROM) sono dei circuiti la cui struttura � formata da un decodificatore dell'indirizzo di linea e una matrice per la codifica dei dati da presentare in uscita. La ROM prevede delle uscite differenti dal codificatore per ogni possibile combinazione degli ingressi nella matrice. Per la realizzazione della struttura interna della matrice di decodifica non vengono utilizzate porte elementari CMOS in quanto occuperebbe un'area troppo ampia; bens� vi � l'impiego di reti NMOS o di reti Pseudo-NMOS le quali migliorano i tempi di propagazione per le migliori caratteristiche del PMOS che agisce da carico attivo. La matrice di codifica delle ROM pu� essere realizzata con porte NOR e il decodificatore presenter� tutte le uscite basse tranne quella corrispondente alla parola di indirizzo che viene portata alta. La codifica desiderata sulla colonna di uscita (bit line), per ogni riga di ingresso (word line) abilitata, pu� essere implementata in maniera diretta nella matrice inserendo i MOS alle intersezioni tra righe e colonne. Se nell'intersezione vi � un MOS pilotato dalla word line, questo condurr� quando la word line � alta e porter� la bit line a livello basso altrimenti il livello alto della bit line non verr� alterato. Viceversa nella matrice realizzata con porte NAND il decodificatore opera in una logica negata e funziona esattamente nel modo opposto del caso precedente. Le ROM a porte NAND occupano meno spazio a pari capacit� di memoria rispetto a quelle a porte NOR, ma hanno un tempo di accesso pi� alto in quanto vi � una elevata serie di NMOS nelle singole NAND che riduce il valore di Kneq e della corrispondente diminuzione del valore di Kp del PMOS carico. Per migliorare il tempo di risposta della ROM devono essere minimizzati i due tempi di transizione: Trise e Tfall la cui somma da il tempo di accesso. Questo si raggiunge ponendo Kn (coefficiente di mobilit� delle cariche dell�Nmos) doppio rispetto a Kp (coefficiente di mobilit� delle lacune dell�Pmos), si ottine inoltre cos� l�uguaglianza dei tempi di propagazione e del rapporto W/L dei dispositivi.

Come ti avevo detto era abbastanza simile...la parte del tempo di risposta addirittura identica Wink

ciao a todos
ah domani arriva la seconda domanda...
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vinz · Inviato: Mer Gen 12, 2005 12:24 am Oggetto:

Mi� giusto arrivata la domanda 9 del Giorgio.
Domani la posto, ora non ce la faccio proprio...

Yawn! Sono stanchissimo! Neutral

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Luke · Inviato: Mer Gen 12, 2005 11:51 am Oggetto:

Io oggi faccio le mie e appena pronta la posto... scusate per il ritardo, ma la relazione ha preso MOLTO, MOLTO tempo...
A quanto ho capito, tra quelle tralasciate c'� una buona parte di telecomunicazione. Io ho un paio di libri utili al caso, spero di rispondere il modo esauriente!
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Giorgio · Inviato: Mer Gen 12, 2005 2:15 pm Oggetto:

Prima ancora che vinz posti la risp alla domanda 9, anticipo dicendo che � uscita un po' lunghetta perch� ci sono alcuni circuiti. Inoltre la prima parte si pu� sintetizzare molto, le tecniche ed i circuiti sono spiegati in modo specifico a partire dalla spiegazione del rivelatore di picco.

Entro stase preparo la risp anche per la domanda 6...
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clarence · Inviato: Mer Gen 12, 2005 3:13 pm Oggetto:

Luke · Inviato: Mer Gen 12, 2005 5:26 pm Oggetto:

Ho fatto la domanda 18 e l'ho mandata al vinz, cos� me la corregge... Wink

La prox che faccio � la 16, per� nn so se riesco a postarla oggi. Al max, per doman sicuramente verr� messa online!
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vinz · Inviato: Gio Gen 13, 2005 10:14 am Oggetto:

Risposta alla domanda numero 4 (Matteo Mazzoleni):

Domanda 4
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vinz · Inviato: Gio Gen 13, 2005 10:14 am Oggetto:

Risposta alla domanda numero 9 (Giorgio Ghisalberti):

Domanda 9
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vinz · Inviato: Gio Gen 13, 2005 10:15 am Oggetto:

Risposta alla domanda numero 18 (Luca Fornari):

Domanda 18
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